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Special features of structural interaction in (AlGaIn)N/GaN heterostructures used as dislocation filters

Soshnikov, I. P.; Ledentsov, N. N.; TsatsulŽnikov, A. F.; Sakharov, A. V.; Lundin, W. V.; Zavarin, E. A.; Fomin, A. V.; Litvinov, D.; Hahn, E.; Gerthsen, D.


Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2005
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0038-5700
KITopen-ID: 1000005067
Erschienen in Semiconductors
Verlag Springer-Verlag
Band 39
Seiten 100
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