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Special features of structural interaction in (AlGaIn)N/GaN heterostructures used as dislocation filters

Soshnikov, I.P.; Ledentsov, N.N.; TsatsulŽnikov, A.F.; Sakharov, A.V.; Lundin, W.V.; Zavarin, E.A.; Fomin, A.V.; Litvinov, D.; Hahn, E.; Gerthsen, D.



Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2005
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0038-5700
KITopen ID: 1000005067
Erschienen in Semiconductors
Band 39
Seiten 100
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