Special features of structural interaction in (AlGaIn)N/GaN heterostructures used as dislocation filters

Soshnikov, I. P.; Ledentsov, N. N.; TsatsulŽnikov, A. F.; Sakharov, A. V.; Lundin, W. V.; Zavarin, E. A.; Fomin, A. V.; Litvinov, D.; Hahn, E.; Gerthsen, D.

Special features of structural interaction in (AlGaIn)N/GaN heterostructures used as dislocation filters

Soshnikov, I. P.; Ledentsov, N. N.; TsatsulŽnikov, A. F.; Sakharov, A. V.; Lundin, W. V.; Zavarin, E. A.; Fomin, A. V.; Litvinov, D.; Hahn, E.; Gerthsen, D.

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM) Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2005
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0038-5700 KITopen-ID: 1000005067
Erschienen in	Semiconductors
Verlag	Springer-Verlag
Band	39
Seiten	100

Repository KITopen

Special features of structural interaction in (AlGaIn)N/GaN heterostructures used as dislocation filters