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Electrical activity of dislocations in epitaxial ZnO- and GaN-layers analyzed by holography in a transmission electron microscope

Müller, E.; Gerthsen, D.; Brückner, P.; Scholz, F.; Kirchner, C.; Waag, A.



Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2006
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1369-8001
KITopen ID: 1000005090
Erschienen in Materials science in semiconductor processing
Band 9
Seiten 127
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