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Determination of critical thickness for defect formation of CdSe/ZnSe heterostructures by transmission electron microscopy and photoluminescence spectroscopy

Daniel, B.; Fallert, J.; Löffler, W.; Kalt, H.; Hetterich, M.; Litvinov, D.; Schowalter, M.; Rosenauer, A.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Physik (APH)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2008
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0031-8965
KITopen-ID: 1000012419
Erschienen in Physica Status Solidi (A)
Band 205
Heft 12
Seiten 2892 - 2897
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