Influence of InGaAs cap layers with different In concentration on the properties of InGaAs quantum dots

Kalt, H.; Klingshirn, C.; Hetterich, M.; Passow, T.; Grau, A.; Litvinov, D.; Blank, H.; Schneider, R.; Gerthsen, D.; [u. a.]

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Angewandte Physik (APH) Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM) Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2008
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0021-8979 KITopen-ID: 1000012427
Erschienen in	Journal of Applied Physics
Verlag	American Institute of Physics (AIP)
Band	103
Heft	8
Seiten	083532/1 - 8