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Influence of InGaAs cap layers with different In concentration on the properties of InGaAs quantum dots

Kalt, H.; Klingshirn, C.; Hetterich, M.; Passow, T.; Grau, A.; Litvinov, D.; Blank, H.; Schneider, R.; Gerthsen, D. [u.a.]



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Physik (APH)
Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2008
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0021-8979
KITopen-ID: 1000012427
Erschienen in Journal of Applied Physics
Band 103
Heft 8
Seiten 083532/1 - 8
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