KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

Influence of InGaAs cap layers with different In-concentrations on the structure and properties of InAs/GaAs quantum dot layers

Hetterich, M.; Passow, T.; Grau, A.; Litvinov, D.; Gerthsen, D.; Vallaitis, T.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Physik (APH)
Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Institut für Photonik und Quantenelektronik (IPQ)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2007
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1431-9276
KITopen-ID: 1000012565
Erschienen in Microscopy and Microanalysis
Band 13
Heft S03
Seiten 316 - 317
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft KITopen Landing Page