Influence of InGaAs cap layers with different In-concentrations on the structure and properties of InAs/GaAs quantum dot layers
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Angewandte Physik (APH) Institut für Photonik und Quantenelektronik (IPQ) Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM) Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2007 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 1431-9276 KITopen-ID: 1000012565 |
| Erschienen in | Microscopy and Microanalysis |
| Verlag | Cambridge University Press (CUP) |
| Band | 13 |
| Heft | S03 |
| Seiten | 316 - 317 |