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Magnetic order by C-ion implantation into Mn₅Si₃ and Mn₅Ge₃ and its lateral modification

Sürgers, C. ORCID iD icon 1,2; Potzger, K.; Strache, T.; Möller, W.; Fischer, G. 1; Joshi, N. 1,2; Löhneysen, H. von 3,4
1 Physikalisches Institut (PHI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Universität Karlsruhe (TH)
4 Forschungszentrum Karlsruhe (FZKA)

Abstract:

Ferromagnetic Mn(5)Si(3)C(0.8) and Mn(5)Ge(3)C(0.8) films with Curie temperatures T(C) well above room temperature are obtained by (12)C(+)-ion implantation in antiferromagnetic Mn(5)Si(3) or ferromagnetic Mn(5)Ge(3). Patterning of the films with a gold mesh serving as a stencil mask during implantation allows a lateral modification of magnetic order creating ferromagnetic regions of Mn(5)Si(3)C(0.8) which are embedded in antiferromagnetic Mn(5)Si(3). This provides a procedure for the fabrication of magnetoelectronic hybrid devices comprised of different magnetic phases. (C) 2008 American Institute of Physics.


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.2969403
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Zitationen: 40
Web of Science
Zitationen: 35
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Zitationen: 38
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Festkörperphysik (IFP)
Physikalisches Institut (PHI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2008
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0003-6951
KITopen-ID: 1000013570
HGF-Programm 43.02.03 (POF I, LK 01) Kontaktierung und Transport
Erschienen in Applied Physics Letters
Verlag American Institute of Physics (AIP)
Band 93
Heft 6
Seiten 062503/1 - 3
Nachgewiesen in Scopus
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Web of Science
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