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Magnetic order by C-ion implantation into Mn₅Si₃ and Mn₅Ge₃ and its lateral modification

Sürgers, C. ORCID iD icon 1,2; Potzger, K.; Strache, T.; Möller, W.; Fischer, G. 1; Joshi, N. 1,2; Löhneysen, H. von 3,4
1 Physikalisches Institut (PHI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Universität Karlsruhe (TH)
4 Forschungszentrum Karlsruhe (FZKA)

Abstract:

Ferromagnetic Mn(5)Si(3)C(0.8) and Mn(5)Ge(3)C(0.8) films with Curie temperatures T(C) well above room temperature are obtained by (12)C(+)-ion implantation in antiferromagnetic Mn(5)Si(3) or ferromagnetic Mn(5)Ge(3). Patterning of the films with a gold mesh serving as a stencil mask during implantation allows a lateral modification of magnetic order creating ferromagnetic regions of Mn(5)Si(3)C(0.8) which are embedded in antiferromagnetic Mn(5)Si(3). This provides a procedure for the fabrication of magnetoelectronic hybrid devices comprised of different magnetic phases. (C) 2008 American Institute of Physics.

Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Festkörperphysik (IFP)
Physikalisches Institut (PHI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2008
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0003-6951
KITopen-ID: 1000013570
HGF-Programm 43.02.03 (POF I, LK 01) Kontaktierung und Transport
Erschienen in Applied Physics Letters
Verlag American Institute of Physics (AIP)
Band 93
Heft 6
Seiten 062503/1 - 3
Nachgewiesen in Dimensions
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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.2969403
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Dimensions
Zitationen: 38
Seitenaufrufe: 81
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