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Preferential carbon etching by hydrogen inside hexagonal voids of 6H-SiC(0001)

Wulfhekel, W.; Sander, D.; Hanbücken, M.; Leycuras, A.; Nitsche, S.; Palmari, J. P.; Dulot, D.; d'Avitaya, F. A.



Zugehörige Institution(en) am KIT Physikalisches Institut (PHI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2002
Sprache Englisch
Identifikator DOI: 10.1063/1.1519962
ISSN: 0003-6951
KITopen ID: 1000013640
Erschienen in Applied Physics Letters
Band 81
Heft 19
Seiten 3570-3572
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