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Preferential carbon etching by hydrogen inside hexagonal voids of 6H-SiC(0001)

Wulfhekel, W.; Sander, D.; Hanbücken, M.; Leycuras, A.; Nitsche, S.; Palmari, J. P.; Dulot, D.; d'Avitaya, F. A.



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.1519962
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Web of Science
Zitationen: 13
Seitenaufrufe: 16
seit 26.05.2018
Zugehörige Institution(en) am KIT Physikalisches Institut (PHI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2002
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0003-6951
KITopen-ID: 1000013640
Erschienen in Applied Physics Letters
Band 81
Heft 19
Seiten 3570-3572
Nachgewiesen in Web of Science
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