Preferential carbon etching by hydrogen inside hexagonal voids of 6H-SiC(0001)
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Physikalisches Institut (PHI) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2002 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0003-6951 KITopen-ID: 1000013640 |
| Erschienen in | Applied Physics Letters |
| Verlag | American Institute of Physics (AIP) |
| Band | 81 |
| Heft | 19 |
| Seiten | 3570-3572 |
| Nachgewiesen in | Scopus Dimensions Web of Science |