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Growth of A-plane GaN on (010) LiGaO₂ by plasma-assisted MBE

Schuber, R. 1,2; Chou, M. M. C.; Vincze, P. 3; Schimmel, Thomas 1,3; Schaadt, D. M. 1,2
1 Institut für Angewandte Physik (APH), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.02.030
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Zitationen: 14
Web of Science
Zitationen: 14
Dimensions
Zitationen: 13
BibTeX (UTF-8) BibTeX (ASCII) EndNote/Refer (.enw) RIS CSL-JSON ISI
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Physik (APH)
Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsdatum 01.05.2010
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0022-0248, 1873-5002
KITopen-ID: 1000017253
HGF-Programm 43.11.03 (POF II, LK 01) Molecular building blocks
Erschienen in Journal of crystal growth
Verlag Elsevier
Band 312
Heft 10
Seiten 1665-1670
Nachgewiesen in OpenAlex
Web of Science
Scopus
Dimensions
Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung Ziel 7 – Bezahlbare und saubere Energie
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