Influence of InGaAs cap layers with different in concentration on the properties of InGaAs quantum dots

Litvinov, D.; Blank, H.; Schneider, D.; Gerthsen, D.; Vallaitis, T.; Leuthold, J.; Passow, T.; Grau, A.; Kalt, H.; Klingshirn, C.; Hetterich, M.

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Photonik und Quantenelektronik (IPQ)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2008
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0021-8979 KITopen-ID: 1000020512
Erschienen in	Journal of Applied Physics
Verlag	American Institute of Physics (AIP)
Band	103
Heft	8
Seiten	083532/1 - 8