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Influence of InGaAs cap layers with different in concentration on the properties of InGaAs quantum dots

Litvinov, D.; Blank, H.; Schneider, D.; Gerthsen, D.; Vallaitis, T.; Leuthold, J.; Passow, T.; Grau, A.; Kalt, H.; Klingshirn, C.; Hetterich, M.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Photonik und Quantenelektronik (IPQ)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2008
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0021-8979
KITopen ID: 1000020512
Erschienen in Journal of Applied Physics
Band 103
Heft 8
Seiten 083532/1 - 8
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