KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz
Open Access Logo
§
Volltext
DOI: 10.5445/KSP/1000021579
Die gedruckte Version dieser Publikation können Sie hier kaufen.
Coverbild

AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications

Kühn, Jutta

Abstract:
This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.


Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE)
Publikationstyp Hochschulschrift
Jahr 2011
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-3-86644-615-1
ISSN: 1868-4696
URN: urn:nbn:de:0072-215794
KITopen-ID: 1000021579
Verlag KIT Scientific Publishing, Karlsruhe
Umfang XI, 230 S.
Serie Karlsruher Forschungsberichte aus dem Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik ; 62
Abschlussart Dissertation
Fakultät Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (ETIT)
Institut Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE)
Prüfungsdaten 06.12.2010
Referent/Betreuer Prof. M. Thumm
Schlagworte AlGaN/GaN HEMT, power amplifier, MMIC design, X-band, power-added efficiency
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft KITopen Landing Page