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Determination of Suitable mHEMT Transistor Dimensioning for Power Amplification at 210 GHz by Comprehensive Measurements

Diebold, S.; Kallfass, I.; Massler, H.; Leuther, A.; Tessmann, A.; Pahl, P.; Koch, S.; Siegel, M.; Ambacher, O.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Jahr 2010
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-1-4244-7231-4
KITopen-ID: 1000022655
Erschienen in Proceedings of the 2010 European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC 2010), Paris, France, 27 - 28 September 2010
Verlag IEEE, Piscataway (NJ)
Seiten 78 - 81
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