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Growth and annealing of InAs quantum dots on pre-structured GaAs substrates

Helfrich, M. 1; Hu, D. Z. 1; Hendrickson, J.; Gehl, M.; Rülke, D. 1; Gröger, R. 2; Litvinov, D. 3; Linden, S.; Wegener, M. 1; Gerthsen, D. 3; Schimmel, T. 2; Hetterich, M. 1; Kalt, H. 1; Khitrova, G.; Gibbs, H. M.; Schaadt, D. M. 1
1 Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Angewandte Physik (APH), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Abstract:

In this study, we investigated the effect of in situannealing on InAsquantumdots site-selectively grown on pre-structuredGaAssubstrates. A morphological transition is observed with original double dots merging into one single dot during annealing. This is accompanied by a reduction of quantumdots originally nucleating between defined sites. The photoluminescence intensity of annealed site-selective quantumdots is compared to annealed self-assembled dots with linewidths of single dot emission of about 170 and View the MathML source, respectively. UV-ozone cleaning is used to optimize the sample cleaning prior to quantumdotgrowth.


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2010.11.162
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Zitationen: 13
Web of Science
Zitationen: 10
Dimensions
Zitationen: 15
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Physik (APH)
Institut für Nanotechnologie (INT)
Universität Karlsruhe (TH) – Interfakultative Einrichtungen (Interfakultative Einrichtungen)
Karlsruhe School of Optics & Photonics (KSOP)
Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2011
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0022-0248, 1873-5002
KITopen-ID: 1000027164
HGF-Programm 43.14.01 (POF II, LK 01) Photonics crystals and metamaterials
Erschienen in Journal of crystal growth
Verlag Elsevier
Band 323
Heft 1
Seiten 187-190
Nachgewiesen in Dimensions
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