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Thermal annealing of InAs quantum dots on patterned GaAs substrates

Helfrich, M.; Hendrickson, J.; Rulke, D.; Kalt, H.; Hetterich, M.; Khitrova, G.; Gibbs, H.; Linden, S.; Wegener, M.; Schaadt, D. M.; Hu, D. Z.

We investigated the effect of in-situ thermal annealing on InAs quantum dots (QDs) grown site-selectively on pre-patterned GaAs substrates. We compare as grown and annealed samples. A morphological transition is observed where originally two QDs merge into one larger dot.

Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Physik (APH)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Jahr 2011
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-0-7354-0970-5
ISSN: 0094-243X
KITopen ID: 1000027179
Erschienen in Physics of Semiconductors: 30th International Conference on the Physics of Semiconductors, Seoul, Korea, 25-30 July 2010, Part A. Ed.: J. Ihm
Verlag AIP Press, Woodbury (NY)
Seiten 217 - 218
Serie AIP Conference Proceedings ; 1399
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