Growth of M-plane GaN on LiGaO2(100) by plasma-assisted molecular beam epitaxy
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Angewandte Physik (APH) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2010 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0040-6090 KITopen-ID: 1000028408 |
| Erschienen in | Thin Solid Films |
| Verlag | Elsevier |
| Band | 518 |
| Heft | 23 |
| Seiten | 6773-6776 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Web of Science Scopus |