Impedance Characterization of High-Frequency Gate Drive Circuits for Silicon RF MOSFET and Silicon-Carbide Field-Effect Transistors
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Lichttechnisches Institut (LTI) |
| Publikationstyp | Proceedingsbeitrag |
| Publikationsjahr | 2012 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISBN: 978-3-8007-3431-3 KITopen-ID: 1000032881 |
| Erschienen in | Proceedings - PCIM Europe 2012: International Exhibition & Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, Nürnberg, May 8-10, 2012 |
| Verlag | VDE Verlag |
| Seiten | 1 CD-Rom |