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Impedance Characterization of High-Frequency Gate Drive Circuits for Silicon RF MOSFET and Silicon-Carbide Field-Effect Transistors

Meisser, M.; Hähre, K.



Zugehörige Institution(en) am KIT Lichttechnisches Institut (LTI)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Jahr 2012
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-3-8007-3431-3
KITopen ID: 1000032881
Erschienen in Proceedings - PCIM Europe 2012: International Exhibition & Conference for Power Electronics, Intelligent Motion, Renewable Energy and Energy Management, Nürnberg, May 8-10, 2012
Verlag VDE-Verl., Berlin
Seiten 1 CD-Rom
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