Physikalische Analyse der Ansprechverhaltens des CMS Siliziumdetektors beim Betrieb am LHC = Performance of the CMS Tracker under Irradiation
Abstract:
The subject of this thesis is the analysis of the evolution of silicon sensors' leakage current and full depletion voltage of the CMS silicon strip tracker. In this scope two newly developed measurement techniques for the full depletion voltage are presented. The results are compared with the established radiation damage models and a forecast for the evolution of the silicon sensors' properties is given.
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Fakultät für Physik – Institut für Experimentelle Kernphysik (IEKP) |
| Publikationstyp | Hochschulschrift |
| Publikationsjahr | 2013 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | urn:nbn:de:swb:90-329441 KITopen-ID: 1000032944 |
| Verlag | Karlsruher Institut für Technologie (KIT) |
| Art der Arbeit | Dissertation |
| Fakultät | Fakultät für Physik (PHYSIK) |
| Institut | Fakultät für Physik – Institut für Experimentelle Kernphysik (IEKP) |
| Prüfungsdaten | 11.01.2013 |
| Schlagwörter | radiation damage, silicon sensors, Hamburg model, leakage current, full depletion voltage |
| Referent/Betreuer | Müller, T. |