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A high-gain high-power amplifier MMIC for V-band applications using 100 nm AlGaN/GaN dual-gate HEMTs

Schwantuschke, D.; Haupt, C.; Kiefer, R.; Brückner, P.; Seelmann-Eggebert, M.; Tessmann, A.; Mikulla, M.; Kallfass, I.; Quay, R.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2012
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1759-0787
KITopen ID: 1000034126
Erschienen in International Journal of Microwave and Wireless Technologies
Band 4
Heft S3
Seiten 267-274
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