A high-gain high-power amplifier MMIC for V-band applications using 100 nm AlGaN/GaN dual-gate HEMTs
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2012 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 1759-0787 KITopen-ID: 1000034126 |
| Erschienen in | International Journal of Microwave and Wireless Technologies |
| Verlag | Cambridge University Press (CUP) |
| Band | 4 |
| Heft | S3 |
| Seiten | 267-274 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Scopus Web of Science |