Wachstum und Charakterisierung von Cu-dotiertem GaN und GaN auf MgF2
Abstract:
Verdünnt magnetische Halbleiter sind ein wichtiger Baustein für die Spintronik. Auf Basis der Gruppe-III Nitride lieferte die Dotierung von GaN mit Cu erste vielsprechende Ansätze. In dieser Arbeit wurde die Herstellung dieses verdünnt magnetischen Halbleiters mit Molekularstrahlepitaxie untersucht und die strukturellen und magnetischen Eigenschaften für verschiedene Parameter bestimmt. Erstmalig wurde im Rahmen dieser Arbeit auch GaN auf MgF2-Substraten hergestellt und charakterisiert.
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Angewandte Physik (APH) |
| Publikationstyp | Hochschulschrift |
| Publikationsjahr | 2012 |
| Sprache | Deutsch |
| Identifikator | urn:nbn:de:swb:90-346001 KITopen-ID: 1000034600 |
| Verlag | Karlsruher Institut für Technologie (KIT) |
| Art der Arbeit | Dissertation |
| Fakultät | Fakultät für Physik (PHYSIK) |
| Institut | Institut für Angewandte Physik (APH) |
| Prüfungsdaten | 16.11.2012 |
| Schlagwörter | Verdünnt magnetische Halbleiter, Molekularstrahlepitaxie, Gruppe-III Nitride, Photokathoden |
| Referent/Betreuer | Kalt, H. |