KIT | KIT-Bibliothek | Impressum
Open Access Logo
§
Volltext
URN: urn:nbn:de:swb:90-346001

Wachstum und Charakterisierung von Cu-dotiertem GaN und GaN auf MgF2

Ganz, Philipp Ralph

Abstract:
Verdünnt magnetische Halbleiter sind ein wichtiger Baustein für die Spintronik. Auf Basis der Gruppe-III Nitride lieferte die Dotierung von GaN mit Cu erste vielsprechende Ansätze. In dieser Arbeit wurde die Herstellung dieses verdünnt magnetischen Halbleiters mit Molekularstrahlepitaxie untersucht und die strukturellen und magnetischen Eigenschaften für verschiedene Parameter bestimmt. Erstmalig wurde im Rahmen dieser Arbeit auch GaN auf MgF2-Substraten hergestellt und charakterisiert.


Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Physik (APH)
Publikationstyp Hochschulschrift
Jahr 2012
Sprache Deutsch
Identifikator KITopen ID: 1000034600
Verlag Karlsruhe
Abschlussart Dissertation
Fakultät Fakultät für Physik (PHYSIK)
Institut Institut für Angewandte Physik (APH)
Prüfungsdaten 16.11.2012
Referent/Betreuer Prof. H. Kalt
Schlagworte Verdünnt magnetische Halbleiter, Molekularstrahlepitaxie, Gruppe-III Nitride, Photokathoden
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft KITopen Landing Page