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Statistics of voltage fluctuations in resistively shunted Josephson junctions

Golubev, D. S. 1; Marthaler, M. 2; Utsumi, Y.; Schön, G. 1,2
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Institut für Theoretische Festkörperphysik (TFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2010
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1098-0121
KITopen-ID: 1000035438
HGF-Programm 43.11.02 (POF II, LK 01) Electronic transport in nanostructures
Erschienen in Physical Review B
Verlag American Physical Society (APS)
Band 81
Heft 18
Seiten 184516/1-9
Nachgewiesen in Web of Science
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Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung Ziel 7 – Bezahlbare und saubere Energie

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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevB.81.184516
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Web of Science
Zitationen: 17
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Zitationen: 18
Seitenaufrufe: 70
seit 31.08.2018
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