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Statistics of voltage fluctuations in resistively shunted Josephson junctions

Golubev, D. S. 1; Marthaler, M. 2; Utsumi, Y.; Schön, G. 1,2
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevB.81.184516
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Zitationen: 18
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Institut für Theoretische Festkörperphysik (TFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2010
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1098-0121
KITopen-ID: 1000035438
HGF-Programm 43.11.02 (POF II, LK 01) Electronic transport in nanostructures
Erschienen in Physical Review B
Verlag American Physical Society (APS)
Band 81
Heft 18
Seiten 184516/1-9
Nachgewiesen in Web of Science
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