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Full counting statistics in disordered graphene at the Dirac point : From ballistics to diffusion

Schüssler, A. 1; Ostrovsky, P. M. 1; Gornyi, I. V. 1,2; Mirlin, A. D. 1,2,3
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Institut für Theorie der Kondensierten Materie (TKM), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevB.82.085419
Scopus
Zitationen: 7
Web of Science
Zitationen: 6
Dimensions
Zitationen: 7
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Institut für Theorie der Kondensierten Materie (TKM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsdatum 12.08.2010
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0163-1829, 0556-2805, 1094-1622, 1095-3795, 1098-0121, 1550-235X, 2469-9950, 2469-9969
KITopen-ID: 1000035788
HGF-Programm 43.11.02 (POF II, LK 01) Electronic transport in nanostructures
Erschienen in Physical review / B
Verlag American Physical Society (APS)
Band 82
Heft 8
Seiten Art.Nr. 085419
Nachgewiesen in Scopus
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Dimensions
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