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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevB.83.035314
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Web of Science
Zitationen: 36

I2 basal plane stacking fault in GaN: Origin of the 3.32 eV luminescence band

Tischer, I.; Feneberg, M.; Schirra, M.; Yacoub, H.; Sauer, R.; Thonke, K.; Wunderer, T.; Scholz, F.; Dieterle, L.; Müller, E.; Gerthsen, D.



Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2011
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1098-0121
KITopen ID: 1000035835
Erschienen in Physical Review B
Band 83
Heft 3
Seiten 035314/1-6
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