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I2 basal plane stacking fault in GaN: Origin of the 3.32 eV luminescence band

Tischer, I.; Feneberg, M.; Schirra, M.; Yacoub, H.; Sauer, R.; Thonke, K.; Wunderer, T.; Scholz, F.; Dieterle, L. 1; Müller, E. 1; Gerthsen, D. 1
1 Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevB.83.035314
Scopus
Zitationen: 51
Dimensions
Zitationen: 49
Zugehörige Institution(en) am KIT Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2011
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1098-0121
KITopen-ID: 1000035835
Erschienen in Physical Review B
Verlag American Physical Society (APS)
Band 83
Heft 3
Seiten 035314/1-6
Nachgewiesen in Dimensions
Web of Science
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