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Aluminum hard mask technique for the fabrication of high quality submicron Nb/A-AlOₓ/Nb Josephson junctions

Kaiser, C. 1; Meckbach, J. M. 1; Ilin, K. S. 1; Lisenfeld, J. 2; Schäfer, R. 3,4; Ustinov, A. V. 2,4; Siegel, M. 1,4
1 Institut für Mikro- und Nanoelektronische Systeme (IMS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Physikalisches Institut (PHI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Institut für Festkörperphysik (IFP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
4 Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1088/0953-2048/24/3/035005
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Zitationen: 14
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Zitationen: 11
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Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Festkörperphysik (IFP)
Institut für Mikro- und Nanoelektronische Systeme (IMS)
Physikalisches Institut (PHI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2011
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0953-2048, 1361-6668
KITopen-ID: 1000035866
HGF-Programm 43.11.02 (POF II, LK 01) Electronic transport in nanostructures
Erschienen in Superconductor science and technology
Verlag Institute of Physics Publishing Ltd (IOP Publishing Ltd)
Band 24
Heft 3
Seiten Art.Nr. 035005
Nachgewiesen in Scopus
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