Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich
Abstract:
Ziel ist der Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den Frequenzbereich von 200 bis über 250 GHz. Dafür sind verlässliche und flexible Leitungs- und Transistormodelle notwendig. Sie werden erstellt und ihre Genauigkeit wird bis 325 GHz bestätigt. Es wird ein Verstärkerkonzept erarbeitet, das maßgeschneidert für den Frequenzbereich und die MMIC-Technologie ist. Es nutzt einen neuartigen Koppler, der kompakte Verstärker mit hoher Bandbreite und Ausgangsleistung ermöglicht.
Abstract (englisch):
The aim of this work is the design of monolithic integrated power amplifiers for frequencies from 200 to 250 GHz and beyond. For this, reliable and flexible transmission line and transistor models are required. The models are created and their accuracy is verified up to 325 GHz. An innovative coupler concept is developed. It is tailor-made for the applied MMIC-technology and the frequency range. Based on this coupler, a novel amplifier topology has been established and applied.
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE) |
| Publikationstyp | Hochschulschrift |
| Publikationsjahr | 2013 |
| Sprache | Deutsch |
| Identifikator | ISBN: 978-3-7315-0161-9 ISSN: 1868-4696 urn:nbn:de:0072-378984 KITopen-ID: 1000037898 |
| Verlag | KIT Scientific Publishing |
| Umfang | XIII, 217 S. |
| Serie | Karlsruher Forschungsberichte aus dem Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik ; 73 |
| Art der Arbeit | Dissertation |
| Fakultät | Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik (ETIT) |
| Institut | Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE) |
| Prüfungsdaten | 06.12.2013 |
| Schlagwörter | MMIC; mHEMT; Millimeterwelle; Terahertz; koplanarer Wellenleiter; Mikrostreifenleitung; HEMT; Leistungsverstärker; Verbindungshalbleiter; FET, millimeterwave; millimetre-wave, coplanar waveguide; microstrip transmission line; power amplifier; 3-5; III-V semiconductor; monolithic integrated |
| Referent/Betreuer | Kallfass, I. |