Untersuchung neuartiger Sensorkonzepte und Entwicklung eines effektiven Modells der Strahlenschädigung für die Simulation hochbestrahlter Silizium-Teilchendetektoren
Abstract:
Silicon sensors in the Tracker of the CMS experiment at CERN will suffer from sever radiation damage after the upgrade of the LHC beyond 2023. A new sensor design is presented and a two-defect radiation damage model for the simulation is developed for the prediction of the performance of future silicon sensors.
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Fakultät für Physik – Institut für Experimentelle Kernphysik (IEKP) |
| Publikationstyp | Hochschulschrift |
| Publikationsjahr | 2013 |
| Sprache | Deutsch |
| Identifikator | urn:nbn:de:swb:90-384033 KITopen-ID: 1000038403 |
| Verlag | Karlsruher Institut für Technologie (KIT) |
| Art der Arbeit | Dissertation |
| Fakultät | Fakultät für Physik (PHYSIK) |
| Institut | Fakultät für Physik – Institut für Experimentelle Kernphysik (IEKP) |
| Prüfungsdaten | 29.11.2013 |
| Schlagwörter | silicon, sensor, radiation, defect, model |
| Referent/Betreuer | Müller, T. |