Transmission electron microscopy investigation of AlN growth on Si(111)

Litvinov, D.; Gerthsen, D.; Vöhringer, R.; Hu, D. Z.; Schaadt, D. M.

doi:10.1016/j.jcrysgro.2011.11.038

Transmission electron microscopy investigation of AlN growth on Si(111)

Litvinov, D. ¹^,2; Gerthsen, D. ¹^,2; Vöhringer, R. ²^,3; Hu, D. Z. ²^,3; Schaadt, D. M. ²^,3
¹ Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
² Center for Functional Nanostructures (CFN), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
³ Institut für Angewandte Physik (APH), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2011.11.038

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM) Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2012
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0022-0248 KITopen-ID: 1000039549
Erschienen in	Journal of Crystal Growth
Verlag	Elsevier
Band	338
Heft	1
Seiten	283-290
Nachgewiesen in	OpenAlex Web of Science Scopus Dimensions

Repository KITopen

Transmission electron microscopy investigation of AlN growth on Si(111)