KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz
Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.4861183
Scopus
Zitationen: 12
Web of Science
Zitationen: 12

Intrinsic device-to-device variation in graphene field-effect transistors on a Si/SiO₂ substrate as a platform for discriminative gas sensing

Lipatov, Alexey; Varezhnikov, Alexey; Augustin, Martin; Bruns, Michael; Sommer, Martin; Sysoev, Victor; Kolmakov, Andrei; Sinitskii, Alexander



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2014
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0003-6951, 1077-3118
KITopen ID: 1000040434
HGF-Programm 43.12.01; LK 01
Erschienen in Applied physics letters
Band 104
Heft 1
Seiten Art.Nr. 013114
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft KITopen Landing Page