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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.4861183
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Zitationen: 13
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Zitationen: 12

Intrinsic device-to-device variation in graphene field-effect transistors on a Si/SiO₂ substrate as a platform for discriminative gas sensing

Lipatov, Alexey; Varezhnikov, Alexey; Augustin, Martin; Bruns, Michael; Sommer, Martin; Sysoev, Victor; Kolmakov, Andrei; Sinitskii, Alexander



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2014
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0003-6951, 1077-3118
KITopen-ID: 1000040434
HGF-Programm 43.12.01 (POF II, LK 01)
Erschienen in Applied physics letters
Band 104
Heft 1
Seiten Art.Nr. 013114
Nachgewiesen in Scopus
Web of Science
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