Intrinsic device-to-device variation in graphene field-effect transistors on a Si/SiO₂ substrate as a platform for discriminative gas sensing

Lipatov, Alexey; Varezhnikov, Alexey; Augustin, Martin; Bruns, Michael; Sommer, Martin; Sysoev, Victor; Kolmakov, Andrei; Sinitskii, Alexander

doi:10.1063/1.4861183

Intrinsic device-to-device variation in graphene field-effect transistors on a Si/SiO₂ substrate as a platform for discriminative gas sensing

Lipatov, Alexey; Varezhnikov, Alexey; Augustin, Martin ¹; Bruns, Michael; Sommer, Martin ¹; Sysoev, Victor; Kolmakov, Andrei ²; Sinitskii, Alexander
¹ Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
² Institut für Angewandte Materialien – Energiespeichersysteme (IAM-ESS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2014
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0003-6951, 1077-3118 KITopen-ID: 1000040434
HGF-Programm	43.12.01 (POF II, LK 01) Tailored properties of nanomaterials
Erschienen in	Applied physics letters
Verlag	American Institute of Physics (AIP)
Band	104
Heft	1
Seiten	Art.Nr. 013114
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