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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.nima.2013.12.048
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Zitationen: 8
Web of Science
Zitationen: 7

Dead layer on silicon p-i-n diode charged-particle detectors

Wall, B.L.; Amsbaugh, J.F.; Beglarian, A.; Bergmann, T.; Bichsel, H.C.; Bodine, L.I.; Boyd, N.M.; Burritt, T.H.; Chaoui, Z.; Corona, T.J.; Doe, P.J.; Enomoto, S.; Harms, F.; Harper, G.C.; Howe, M.A.; Martin, E.L.; Parno, D.S.; Peterson, D.A.; Petzold, L.; Renschler, P.; ... mehr



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE)
Institut für Kernphysik (IKP)
Institut für Experimentelle Kernphysik (IEKP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2014
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0168-9002
KITopen ID: 1000042039
HGF-Programm 51.54.01; LK 02
Erschienen in Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment
Band 744
Seiten 73-79
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