Device and Design Optimization for AlGaN/GaN X-Band-Power-Amplifiers with High Efficiency
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE) Institut für Hochleistungsimpuls- und Mikrowellentechnik (IHM) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 03.2010 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0195-9271, 1572-9559, 1866-6892, 1866-6906 KITopen-ID: 1000045049 |
| HGF-Programm | 43.13.02 (POF II, LK 01) Replication |
| Erschienen in | Journal of infrared, millimeter, and terahertz waves |
| Verlag | Springer-Verlag |
| Band | 31 |
| Heft | 3 |
| Seiten | 367-379 |
| Nachgewiesen in | Scopus Web of Science Dimensions |