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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1007/s10762-009-9583-6
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Zitationen: 2
Web of Science
Zitationen: 1

Device and Design Optimization for AlGaN/GaN X-Band-Power-Amplifiers with High Efficiency

Kühn, Jutta; Raay, Friedbert van; Quay, Rüdiger; Kiefer, Rudolf; Mikulla, Michael; Seelmann-Eggebert, Matthias; Bronner, Wolfgang; Schlechtweg, Michael; Ambacher, Oliver; Thumm, Manfred



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Hochfrequenztechnik und Elektronik (IHE)
Institut für Hochleistungsimpuls- und Mikrowellentechnik (IHM)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2010
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0195-9271, 1572-9559, 1866-6892, 1866-6906
KITopen-ID: 1000045049
HGF-Programm 43.13.02 (POF II, LK 01)
Erschienen in Journal of infrared, millimeter, and terahertz waves
Band 31
Heft 3
Seiten 367-379
Nachgewiesen in Web of Science
Scopus
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