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Fabrication of polycrystalline Cu2ZnSnSe4 layers with strongly preferential grain orientation via selenization of Sn/Cu/ZnSe(001)/GaAs(001) structures

Krämmer, C. 1; Sachs, J. 1; Lang, M. 1; Pfaffmann, L. 2; Gao, C. 1; Gerthsen, D. 2; Kalt, H. 1; Powalla, M. 3; Hetterich, M. 1
1 Institut für Angewandte Physik (APH), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Lichttechnisches Institut (LTI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.4866436
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Zitationen: 3
Web of Science
Zitationen: 3
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Zitationen: 3
Zugehörige Institution(en) am KIT Universität Karlsruhe (TH) – Interfakultative Einrichtungen (Interfakultative Einrichtungen)
Karlsruhe School of Optics & Photonics (KSOP)
Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2014
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0003-6951
KITopen-ID: 1000045585
Erschienen in Applied Physics Letters
Verlag American Institute of Physics (AIP)
Band 104
Heft 7
Seiten 071913
Nachgewiesen in Web of Science
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