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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.orgel.2013.12.022
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Zitationen: 4

Modelling and simulation of gate leakage currents of solution-processed OTFT

Hengen, S.; Alt, M.; Hernandez-Sosa, G.; Giehl, J.; Lemmer, U.; Mechau, N.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT)
Lichttechnisches Institut (LTI)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2014
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1566-1199
KITopen ID: 1000047633
HGF-Programm 43.14.03; LK 01
Erschienen in Organic Electronics: physics, materials, applications
Band 15
Heft 3
Seiten 829-834
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