Modelling and simulation of gate leakage currents of solution-processed OTFT
Hengen, S. 1; Alt, M. 1; Hernandez-Sosa, G.
1; Giehl, J.; Lemmer, U.
1,2; Mechau, N. 1
1 Lichttechnisches Institut (LTI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
1; Giehl, J.; Lemmer, U.
1,2; Mechau, N. 11 Lichttechnisches Institut (LTI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT) Lichttechnisches Institut (LTI) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2014 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 1566-1199 KITopen-ID: 1000047633 |
| HGF-Programm | 43.14.03 (POF II, LK 01) System integration |
| Erschienen in | Organic Electronics: physics, materials, applications |
| Verlag | Elsevier |
| Band | 15 |
| Heft | 3 |
| Seiten | 829-834 |
| Nachgewiesen in | Web of Science Scopus OpenAlex Dimensions |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |