Subthreshold CMOS transistors are largely immune to magnetic field effects when operated above 11 T
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2015 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 1552-5031 KITopen-ID: 1000048889 |
| HGF-Programm | 43.22.01 (POF III, LK 01) Functionality by Design |
| Erschienen in | Concepts in Magnetic Resonance Part B: Magnetic Resonance Engineering |
| Verlag | Hindawi |
| Band | 45 |
| Heft | 2 |
| Seiten | 97-105 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Web of Science Scopus OpenAlex |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |