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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1002/cmr.b.21284
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Zitationen: 2
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Zitationen: 2

Subthreshold CMOS transistors are largely immune to magnetic field effects when operated above 11 T

Höfflin, Jens; Sander, Christian; Gieschke, Pascal; Greiner, Andreas; Korvink, Jan G.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Mikrostrukturtechnik (IMT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1552-5031
KITopen-ID: 1000048889
HGF-Programm 43.22.01 (POF III, LK 01)
Erschienen in Concepts in Magnetic Resonance Part B: Magnetic Resonance Engineering
Band 45
Heft 2
Seiten 97-105
Nachgewiesen in Scopus
Web of Science
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