Influence of dislocation strain fields on the diffusion of interstitial iron impurities in silicon
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Angewandte Materialien – Computational Materials Science (IAM-CMS) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2015 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0021-8979 KITopen-ID: 1000052120 |
| Erschienen in | Physical Review B |
| Verlag | American Institute of Physics (AIP) |
| Band | 92 |
| Seiten | 115309 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Web of Science Scopus |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |