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Influence of dislocation strain fields on the diffusion of interstitial iron impurities in silicon

Ziebarth, Benedikt 1; Mrovec, Matous; Elsässer, Christian; Gumbsch, Peter 1
1 Institut für Angewandte Materialien (IAM), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevB.92.115309
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Zitationen: 12
Dimensions
Zitationen: 12
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien – Computational Materials Science (IAM-CMS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0021-8979
KITopen-ID: 1000052120
Erschienen in Physical Review B
Verlag American Institute of Physics (AIP)
Band 92
Seiten 115309
Nachgewiesen in Dimensions
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