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Epitaxial Cu2ZnSnSe4 layers by annealing of Sn/Cu/ZnSe(001) precursors on GaAs(001)

Krämmer, C. 1; Sachs, J. 1; Pfaffmann, L. 2; Musiol, T. 1; Lang, M. 1; Gao, C. 1; Gerthsen, D. 2; Kalt, H. 1; Powalla, M. 3; Hetterich, M. 1
1 Institut für Angewandte Physik (APH), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
3 Lichttechnisches Institut (LTI), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.tsf.2014.09.038
Scopus
Zitationen: 1
Web of Science
Zitationen: 1
Dimensions
Zitationen: 1
BibTeX (UTF-8) BibTeX (ASCII) EndNote/Refer (.enw) RIS CSL-JSON ISI
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Physik (APH)
Universität Karlsruhe (TH) – Interfakultative Einrichtungen (Interfakultative Einrichtungen)
Karlsruhe School of Optics & Photonics (KSOP)
Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM)
Lichttechnisches Institut (LTI)
Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0040-6090
KITopen-ID: 1000052514
Erschienen in Thin Solid Films
Verlag Elsevier
Band 582
Seiten 158 - 161
Nachgewiesen in Dimensions
OpenAlex
Scopus
Web of Science
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