Optical properties of defects in nitride semiconductors

Tischer, I.; Hocker, M.; Neuschl, B.; Madel, M.; Feneberg, M.; Schirra, M.; Frey, M.; Knab, M.; Maier, P.; Wunderer, T.; Leute, R.; Wang, J.; Scholz, F.; Biskupek, J.; Bernhard, J.; Kaiser, U.; Simon, U.; Dieterle, L.; Groiss, H.; Müller, E.; Gerthsen, D.; Thonke, K.

doi:10.1557/jmr.2015.273

Optical properties of defects in nitride semiconductors

Tischer, I.; Hocker, M.; Neuschl, B.; Madel, M.; Feneberg, M.; Schirra, M.; Frey, M.; Knab, M.; Maier, P.; Wunderer, T.; Leute, R.; Wang, J.; Scholz, F.; Biskupek, J.; Bernhard, J.; Kaiser, U.; Simon, U.; Dieterle, L. ¹; Groiss, H. ¹; ... mehr

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DOI: 10.1557/jmr.2015.273

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Laboratorium für Elektronenmikroskopie (LEM) Universität Karlsruhe (TH) – Zentrale Einrichtungen (Zentrale Einrichtungen)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2015
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 0884-2914 KITopen-ID: 1000052522
Erschienen in	Journal of Materials Research
Verlag	Cambridge University Press (CUP)
Band	30
Heft	20
Seiten	2977 - 2990
Nachgewiesen in	Web of Science Dimensions Scopus

Repository KITopen

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