Impact of Annealing-Induced Intermixing on the Electronic Level Alignment at the In₂S₃/Cu(In,Ga)Se₂ Thin-Film Solar Cell Interface

Bär, M.; Barreau, N.; Couzinié-Devy, F.; Weinhardt, L.; Wilks, R. G.; Kessler, J.; Heske, C.

doi:10.1021/acsami.5b10614

Impact of Annealing-Induced Intermixing on the Electronic Level Alignment at the In₂S₃/Cu(In,Ga)Se₂ Thin-Film Solar Cell Interface

Bär, M.; Barreau, N.; Couzinié-Devy, F.; Weinhardt, L. ¹^,2^,3; Wilks, R. G.; Kessler, J.; Heske, C. ¹^,2^,3
¹ Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
² ANKA - die Synchrotronstrahlungsquelle am KIT (ANKA), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
³ Institut für Technische Chemie und Polymerchemie (ITCP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1021/acsami.5b10614

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung (IPS) Institut für Technische Chemie und Polymerchemie (ITCP)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2016
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 1944-8244 KITopen-ID: 1000057808
HGF-Programm	56.03.10 (POF III, LK 01) Material a. Processes f. Energy Technol.
Erschienen in	ACS applied materials & interfaces
Verlag	American Chemical Society (ACS)
Band	8
Heft	3
Seiten	2120-2124
Nachgewiesen in	Web of Science Dimensions Scopus
Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung

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Impact of Annealing-Induced Intermixing on the Electronic Level Alignment at the In₂S₃/Cu(In,Ga)Se₂ Thin-Film Solar Cell Interface