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Reduced tight-binding models for elemental Si and N, and ordered binary Si-N systems

Gehrmann, J.; Pettifor, D. G.; Kolmogorov, A. N.; Reese, M. 1; Mrovec, M. 1; Elsaesser, C. 1; Drautz, R.
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1103/PhysRevB.91.054109
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Zugehörige Institution(en) am KIT Fakultät für Maschinenbau – Institut für Zuverlässigkeit von Bauteilen und Systemen (IZBS)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2015
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0163-1829, 0556-2805, 1094-1622, 1095-3795, 1098-0121, 1550-235X, 2469-9950, 2469-9969
KITopen-ID: 1000060788
Erschienen in Physical review / B
Verlag American Physical Society (APS)
Band 91
Heft 5
Seiten Art. Nr.: 054109
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