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Mechanism of Arsenic Monolayer Doping of Oxide-Free Si(111)

Longo, R.C.; Mattson, E.C.; Vega, A.; Cabrera, W.; Cho, K.; Chabal, Y.J.; Thissen, P.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2016
Sprache Englisch
Identifikator DOI: 10.1021/acs.chemmater.5b04394
ISSN: 0897-4756, 1520-5002
KITopen ID: 1000062506
Erschienen in Chemistry of materials
Band 28
Heft 7
Seiten 1975-1979
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