KIT | KIT-Bibliothek | Impressum | Datenschutz

Mechanism of Arsenic Monolayer Doping of Oxide-Free Si(111)

Longo, R. C.; Mattson, E. C.; Vega, A.; Cabrera, W.; Cho, K.; Chabal, Y. J.; Thissen, P. 1
1 Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1021/acs.chemmater.5b04394
Scopus
Zitationen: 17
Web of Science
Zitationen: 16
Dimensions
Zitationen: 17
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2016
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0897-4756, 1520-5002
KITopen-ID: 1000062506
HGF-Programm 34.15.01 (POF III, LK 01) Mineralische Konstruktionsmaterialien
Erschienen in Chemistry of materials
Verlag American Chemical Society (ACS)
Band 28
Heft 7
Seiten 1975-1979
Nachgewiesen in Scopus
Dimensions
Web of Science
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
KITopen Landing Page