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Results of the 2015 testbeam of a 180 nm AMS High-Voltage CMOS sensor prototype

Benoit, M.; Mendizabal, J. Bilbao de; Casse, G.; Chen, H.; Chen, K.; Bello, F. A. Di; Ferrere, D.; Golling, T.; Gonzalez-Sevilla, S.; Iacobucci, G.; Lanni, F.; Liu, H.; Meloni, F.; Meng, L.; Miucci, A.; Muenstermann, D.; Nessi, M.; Perić, I. ORCID iD icon 1; Rimoldi, M.; ... mehr

Abstract (englisch):

Active pixel sensors based on the High-Voltage CMOS technology are being investigated as a viable option for the future pixel tracker of the ATLAS experiment at the High-Luminosity LHC. This paper reports on the testbeam measurements performed at the H8 beamline of the CERN Super Proton Synchrotron on a High-Voltage CMOS sensor prototype produced in 180 nm AMS technology. Results in terms of tracking efficiency and timing performance, for different threshold and bias conditions, are shown.


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1088/1748-0221/11/07/P07019
Web of Science
Zitationen: 6
Dimensions
Zitationen: 9
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Prozessdatenverarbeitung und Elektronik (IPE)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2016
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1748-0221
KITopen-ID: 1000064398
HGF-Programm 54.02.03 (POF III, LK 01) ASICs und Integrationstechnologien
Erschienen in Journal of Instrumentation
Verlag Institute of Physics Publishing Ltd (IOP Publishing Ltd)
Band 11
Heft 07
Seiten P07019
Nachgewiesen in Dimensions
Web of Science
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