Electrolyte-Gated FETs Based on Oxide Semiconductors : Fabrication and Modeling
Marques, Gabriel Cadilha 1; Garlapati, Suresh Kumar 2; Chatterjee, Debaditya 2; Dehm, Simone 2; Dasgupta, Subho 2; Aghassi, Jasmin
2; Tahoori, Mehdi B. 1
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2; Tahoori, Mehdi B. 11 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) Institut für Technische Informatik (ITEC) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2017 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0018-9383, 1557-9646, 0096-2430, 0197-6370 KITopen-ID: 1000067016 |
| HGF-Programm | 43.22.03 (POF III, LK 01) Printed Materials and Systems |
| Erschienen in | IEEE transactions on electron devices |
| Verlag | Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) |
| Band | 64 |
| Heft | 1 |
| Seiten | 279–285 |
| Nachgewiesen in | Scopus Web of Science Dimensions |