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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/TED.2016.2621777
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Zitationen: 6

Electrolyte-Gated FETs Based on Oxide Semiconductors : Fabrication and Modeling

Marques, Gabriel Cadilha; Garlapati, Suresh Kumar; Chatterjee, Debaditya; Dehm, Simone; Dasgupta, Subho; Aghassi, Jasmin; Tahoori, Mehdi B.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Institut für Technische Informatik (ITEC)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2017
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0018-9383, 1557-9646, 0096-2430, 0197-6370
KITopen ID: 1000067016
HGF-Programm 43.22.03; LK 01
Erschienen in IEEE transactions on electron devices
Band 64
Heft 1
Seiten 279–285
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