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Electrolyte-Gated FETs Based on Oxide Semiconductors : Fabrication and Modeling

Marques, Gabriel Cadilha 1; Garlapati, Suresh Kumar 2; Chatterjee, Debaditya 2; Dehm, Simone 2; Dasgupta, Subho 2; Aghassi, Jasmin ORCID iD icon 2; Tahoori, Mehdi B. 1
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/TED.2016.2621777
Scopus
Zitationen: 42
Web of Science
Zitationen: 39
Dimensions
Zitationen: 43
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Institut für Technische Informatik (ITEC)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2017
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0018-9383, 1557-9646, 0096-2430, 0197-6370
KITopen-ID: 1000067016
HGF-Programm 43.22.03 (POF III, LK 01) Printed Materials and Systems
Erschienen in IEEE transactions on electron devices
Verlag Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Band 64
Heft 1
Seiten 279–285
Nachgewiesen in Scopus
Dimensions
Web of Science
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