Designing 3D topological insulators by 2D-Xene (X = Ge, Sn) sheet functionalization in GaGeTe-type structures

Pielnhofer, F.; Menshchikova, T. V.; Rusinov, I. P.; Zeugner, A.; Yu. Sklyadneva, I.; Heid, R.; Bohnen, K.-P.; Golub, P.; Baranov, A. I.; Chulkov, E. V.; Pfitzner, A.; Ruck, M.; Isaeva, A.

doi:10.1039/C7TC00390K

Designing 3D topological insulators by 2D-Xene (X = Ge, Sn) sheet functionalization in GaGeTe-type structures

Pielnhofer, F.; Menshchikova, T. V.; Rusinov, I. P.; Zeugner, A.; Yu. Sklyadneva, I.; Heid, R. ¹; Bohnen, K.-P. ¹; Golub, P.; Baranov, A. I.; Chulkov, E. V.; Pfitzner, A.; Ruck, M.; Isaeva, A.
¹ Institut für Festkörperphysik (IFP), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)

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DOI: 10.1039/C7TC00390K

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Zugehörige Institution(en) am KIT	Institut für Festkörperphysik (IFP)
Publikationstyp	Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr	2017
Sprache	Englisch
Identifikator	ISSN: 2050-7526, 2050-7534 KITopen-ID: 1000070363
HGF-Programm	43.21.01 (POF III, LK 01) Quantum Correlations in Condensed Matter
Erschienen in	Journal of materials chemistry / C
Verlag	Royal Society of Chemistry (RSC)
Band	5
Heft	19
Seiten	4752-4762
Nachgewiesen in	Dimensions OpenAlex Web of Science Scopus
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Designing 3D topological insulators by 2D-Xene (X = Ge, Sn) sheet functionalization in GaGeTe-type structures