KIT | KIT-Bibliothek | Impressum

Designing 3D topological insulators by 2D-Xene (X = Ge, Sn) sheet functionalization in GaGeTe-type structures

Pielnhofer, F.; Menshchikova, T. V.; Rusinov, I. P.; Zeugner, A.; Yu. Sklyadneva, I.; Heid, R.; Bohnen, K.-P.; Golub, P.; Baranov, A. I.; Chulkov, E. V.; Pfitzner, A.; Ruck, M.; Isaeva, A.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Festkörperphysik (IFP)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2017
Sprache Englisch
Identifikator DOI: 10.1039/C7TC00390K
ISSN: 2050-7526, 2050-7534
KITopen ID: 1000070363
HGF-Programm 43.21.01; LK 01
Erschienen in Journal of materials chemistry / C
Band 5
Heft 19
Seiten 4752–4762
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft KITopen Landing Page