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Compensation of native donor doping in ScN: Carrier concentration control and p-type ScN

Saha, B.; Garbrecht, M.; Perez-Taborda, J. A.; Fawey, M. H. 1; Koh, Y. R.; Shakouri, A.; Martin-Gonzalez, M.; Hultman, L.; Sands, T. D.
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1063/1.4989530
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Zitationen: 59
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Zitationen: 58
Dimensions
Zitationen: 65
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2017
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0003-6951, 1077-3118
KITopen-ID: 1000071824
HGF-Programm 43.22.01 (POF III, LK 01) Functionality by Design
Erschienen in Applied physics letters
Verlag American Institute of Physics (AIP)
Band 110
Heft 25
Seiten Art. Nr.: 252104
Nachgewiesen in Dimensions
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