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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.sse.2012.11.009
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Temperature dependent compact modeling of gate tunneling leakage current in double gate MOSFETs

Darbandy, Ghader; Aghassi, Jasmin; Sedlmeir, Josef; Monga, Udit; Garduño, Ivan; Cerdeira, Antonio; Iñiguez, Benjamin



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2013
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0038-1101, 1879-2405
KITopen ID: 1000074285
HGF-Programm 43.22.03; LK 01
Erschienen in Solid state electronics
Band 81
Seiten 124–129
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