Temperature dependent compact modeling of gate tunneling leakage current in double gate MOSFETs
Darbandy, Ghader; Aghassi, Jasmin
; Sedlmeir, Josef; Monga, Udit; Garduño, Ivan; Cerdeira, Antonio; Iñiguez, Benjamin
; Sedlmeir, Josef; Monga, Udit; Garduño, Ivan; Cerdeira, Antonio; Iñiguez, Benjamin| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2013 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0038-1101, 1879-2405 KITopen-ID: 1000074285 |
| HGF-Programm | 43.22.03 (POF II, LK 01) |
| Erschienen in | Solid state electronics |
| Verlag | Elsevier |
| Band | 81 |
| Seiten | 124–129 |
| Nachgewiesen in | Scopus OpenAlex Dimensions Web of Science |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |
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seit 31.05.2018
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