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Temperature dependent compact modeling of gate tunneling leakage current in double gate MOSFETs

Darbandy, Ghader; Aghassi, Jasmin ORCID iD icon; Sedlmeir, Josef; Monga, Udit; Garduño, Ivan; Cerdeira, Antonio; Iñiguez, Benjamin


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.sse.2012.11.009
Scopus
Zitationen: 9
Web of Science
Zitationen: 8
Dimensions
Zitationen: 7
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2013
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0038-1101, 1879-2405
KITopen-ID: 1000074285
HGF-Programm 43.22.03 (POF II, LK 01)
Erschienen in Solid state electronics
Verlag Elsevier
Band 81
Seiten 124–129
Nachgewiesen in Scopus
OpenAlex
Dimensions
Web of Science
Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung Ziel 7 – Bezahlbare und saubere Energie
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