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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/TED.2011.2171347
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Zitationen: 18

Generalization of the Concept of Equivalent Thickness and Capacitance to Multigate MOSFETs Modeling

Chevillon, N.; Sallese, J-M; Lallement, C.; Prégaldiny, F.; Madec, M.; Sedlmeir, J.; Aghassi, J.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2012
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0018-9383, 1557-9646, 0096-2430, 0197-6370
KITopen ID: 1000074287
HGF-Programm 43.22.03; LK 01
Erschienen in IEEE transactions on electron devices
Band 59
Heft 1
Seiten 60–71
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