Generalization of the Concept of Equivalent Thickness and Capacitance to Multigate MOSFETs Modeling
Chevillon, N.; Sallese, J-M.; Lallement, C.; Prégaldiny, F.; Madec, M.; Sedlmeir, J.; Aghassi, J.
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsjahr | 2012 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0018-9383, 1557-9646, 0096-2430, 0197-6370 KITopen-ID: 1000074287 |
| HGF-Programm | 43.22.03 (POF II, LK 01) |
| Erschienen in | IEEE transactions on electron devices |
| Verlag | Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) |
| Band | 59 |
| Heft | 1 |
| Seiten | 60–71 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Web of Science Scopus |