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Generalization of the Concept of Equivalent Thickness and Capacitance to Multigate MOSFETs Modeling

Chevillon, N.; Sallese, J-M.; Lallement, C.; Prégaldiny, F.; Madec, M.; Sedlmeir, J.; Aghassi, J. ORCID iD icon


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/TED.2011.2171347
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Zitationen: 33
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Zitationen: 28
Dimensions
Zitationen: 36
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2012
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0018-9383, 1557-9646, 0096-2430, 0197-6370
KITopen-ID: 1000074287
HGF-Programm 43.22.03 (POF II, LK 01)
Erschienen in IEEE transactions on electron devices
Verlag Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Band 59
Heft 1
Seiten 60–71
Nachgewiesen in Dimensions
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