Temperature dependence of compact analytical modeling of gate tunneling current in Double Gate MOSFETs
Darbandy, G.; Aghassi, J.
; Sedlmeir, J.; Monga, U.; Garduno, I.; Cerdeira, A.; Iniguez, B.
; Sedlmeir, J.; Monga, U.; Garduno, I.; Cerdeira, A.; Iniguez, B.| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Proceedingsbeitrag |
| Publikationsjahr | 2012 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISBN: 978-1-4673-0192-3 KITopen-ID: 1000074322 |
| HGF-Programm | 43.22.03 (POF II, LK 01) |
| Erschienen in | 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), Grenoble, France, 6–7 March 2012 |
| Verlag | Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) |
| Seiten | 73–76 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Scopus |