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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/ULIS.2012.6193360
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Zitationen: 1

Temperature dependence of compact analytical modeling of gate tunneling current in Double Gate MOSFETs

Darbandy, G.; Aghassi, J.; Sedlmeir, J.; Monga, U.; Garduno, I.; Cerdeira, A.; Iniguez, B.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Jahr 2012
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-1-4673-0192-3
KITopen-ID: 1000074322
HGF-Programm 43.22.03 (POF II, LK 01)
Erschienen in 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), Grenoble, France, 6–7 March 2012
Verlag IEEE, Piscataway (NJ)
Seiten 73–76
Nachgewiesen in Scopus
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