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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/ULIS.2012.6193360

Temperature dependence of compact analytical modeling of gate tunneling current in Double Gate MOSFETs

Darbandy, G.; Aghassi, J.; Sedlmeir, J.; Monga, U.; Garduno, I.; Cerdeira, A.; Iniguez, B.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Proceedingsbeitrag
Jahr 2012
Sprache Englisch
Identifikator ISBN: 978-1-4673-0192-3
KITopen ID: 1000074322
HGF-Programm 43.22.03; LK 01
Erschienen in 13th International Conference on Ultimate Integration on Silicon (ULIS), Grenoble, France, 6–7 March 2012
Verlag IEEE, Piscataway (NJ)
Seiten 73–76
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