Analyzing a gate-boosting circuit for fast switching
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Hochleistungsimpuls- und Mikrowellentechnik (IHM) |
| Publikationstyp | Proceedingsbeitrag |
| Publikationsjahr | 2017 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISBN: 978-1-5090-2354-7 urn:nbn:de:swb:90-749297 KITopen-ID: 1000074929 |
| HGF-Programm | 32.01.13 (POF III, LK 01) Transmutation: Flüssigmetalltechnologie |
| Erschienen in | IEEE International Power Modulator and High Voltage Conference, IPMHVC, San Francisco, California, USA, 6th - 9th July 2016 |
| Verlag | Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) |
| Seiten | 171-175 |
| Nachgewiesen in | OpenAlex Scopus Dimensions |
| Globale Ziele für nachhaltige Entwicklung |