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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/TED.2017.2786160
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Zitationen: 2

A Smooth EKV-Based DC Model for Accurate Simulation of Printed Transistors and Their Process Variations

Rasheed, Farhan; Golanbari, Mohammad Saber; Cadilha Marques, Gabriel; Tahoori, Mehdi B.; Aghassi-Hagmann, Jasmin



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2018
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0018-9383, 0018-9383, 0096-2430, 0197-6370, 1557-9646
KITopen ID: 1000080347
HGF-Programm 43.22.03; LK 01
Erschienen in IEEE transactions on electron devices
Band 65
Heft 2
Seiten 667–673
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