A Smooth EKV-Based DC Model for Accurate Simulation of Printed Transistors and Their Process Variations
Rasheed, Farhan 1; Golanbari, Mohammad Saber 1; Cadilha Marques, Gabriel; Tahoori, Mehdi B. 1; Aghassi-Hagmann, Jasmin
2
1 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
21 Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
| Zugehörige Institution(en) am KIT | Institut für Nanotechnologie (INT) |
| Publikationstyp | Zeitschriftenaufsatz |
| Publikationsmonat/-jahr | 02.2018 |
| Sprache | Englisch |
| Identifikator | ISSN: 0018-9383, 0018-9383, 0096-2430, 0197-6370, 1557-9646 KITopen-ID: 1000080347 |
| HGF-Programm | 43.22.03 (POF III, LK 01) Printed Materials and Systems |
| Erschienen in | IEEE transactions on electron devices |
| Verlag | Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) |
| Band | 65 |
| Heft | 2 |
| Seiten | 667–673 |
| Nachgewiesen in | Dimensions Scopus Web of Science |