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Voltage-Driven Conformational Switching with Distinct Raman Signature in a Single-Molecule Junction

Bi, Hai; Palma, Carlos Andres; Gong, Yuxiang; Hasch, Peter; Elbing, Mark; Mayor, Marcel 1; Reichert, Joachim; Barth, Johannes V.
1 Institut für Nanotechnologie (INT), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


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Originalveröffentlichung
DOI: 10.1021/jacs.7b12818
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Zitationen: 36
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Zitationen: 38
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2018
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0002-7863, 1520-5126
KITopen-ID: 1000082286
HGF-Programm 43.21.04 (POF III, LK 01) Molecular Engineering
Erschienen in Journal of the American Chemical Society
Verlag American Chemical Society (ACS)
Band 140
Heft 14
Seiten 4835-4840
Vorab online veröffentlicht am 22.03.2018
Nachgewiesen in Scopus
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