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Study of Hydrogen-Defect Interaction in Thin Nb Film on Si Substrate Using Positron Annihilation

Čížek, J.; Procházka, I.; Brauer, G.; Anwand, W.; Mücklich, A.; Kirchheim, R.; Pundt, A.; Bähtz, C.; Knapp, M.



Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien - Werkstoffkunde (IAM-WK)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2006
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 1211-5894
KITopen-ID: 1000084576
Erschienen in Materials Structure
Band 13
Heft 2
Seiten 82-89
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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