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Variability Modeling for Printed Inorganic Electrolyte-Gated Transistors and Circuits [in press]

Rasheed, Farhan; Hefenbrock, Michael; Beigl, Michael; Tahoori, Mehdi B.; Aghassi-Hagmann, Jasmin



Originalveröffentlichung
DOI: 10.1109/TED.2018.2867461
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Zitationen: 1
Seitenaufrufe: 35
seit 19.09.2018
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Telematik (TM)
Institut für Technische Informatik (ITEC)
Institut für Nanotechnologie (INT)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Jahr 2018
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0018-9383, 0018-9383, 0096-2430, 0197-6370, 1557-9646
KITopen-ID: 1000085887
HGF-Programm 43.22.03 (POF III, LK 01)
Erschienen in IEEE transactions on electron devices
Nachgewiesen in Scopus
KIT – Die Forschungsuniversität in der Helmholtz-Gemeinschaft
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