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Combined in-depth X-ray Photoelectron Spectroscopy and Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectroscopy study of the effect of deposition pressure and substrate bias on the electrical properties and composition of Ga-doped ZnO thin films grown by magnetron sputtering

Correia, F. C.; Ribeiro, J. M.; Salvador, P. B.; Welle, Alexander ORCID iD icon 1,2; Bruns, Michael 2; Mendes, A.; Tavares, C. J.
1 Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
2 Karlsruhe Nano Micro Facility (KNMF), Karlsruher Institut für Technologie (KIT)


Originalveröffentlichung
DOI: 10.1016/j.tsf.2018.09.004
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Zitationen: 2
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Dimensions
Zitationen: 2
Zugehörige Institution(en) am KIT Institut für Angewandte Materialien – Energiespeichersysteme (IAM-ESS)
Institut für Funktionelle Grenzflächen (IFG)
Publikationstyp Zeitschriftenaufsatz
Publikationsjahr 2018
Sprache Englisch
Identifikator ISSN: 0040-6090, 1879-2731
KITopen-ID: 1000086230
HGF-Programm 49.02.07 (POF III, LK 02) XPS
Erschienen in Thin solid films
Verlag Elsevier
Band 665
Seiten 184-192
Nachgewiesen in Dimensions
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